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参数资料
| 型号： | FDB5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6625pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB5800DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1000
100
10 μ s
500
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
100 μ s
10
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE LIMITED
BY r DS(ON)
SINGLE PULSE
T J = MA X RATED
T C = 25 o C
1ms
10ms
100ms
DC
10
STARTING T J = 150 o C
STARTING T J = 25 o C
0.1
1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
160
140
120
100
80
60
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 6V
T A = 125 o C
T A = 25 o C
160
140
120
100
80
60
40
5.0V
10V
4.5V
4.0V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3.5V
20
0
0
T A = -55 o C
1 2 3 4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
20
0
0
3.0V
0.5 1.0 1.5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2.0
0.016
Figure 7. Transfer Characteristics
Figure 8. Saturation Characteristics
2.2
0.014
I D = 20A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
I D = 80A
V GS = 10V
0.012
1.8
0.010
T A = 175 o C
1.6
1.4
0.008
0.006
T A = 25 o C
1.2
1.0
0.004
0.8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.002
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
0.6
- 80
- 40
0 40 80 120
T J , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 9. On-Resistance Variation vs Gate-to-
Figure 10. Normalized Drain to Source On
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 90HBJ04RT | SWITCH 4POS DIP J-LEAD SMD |
| 564-0100-999F | LED 3MM TRI-LEVEL HI-EFF BLUE |
| DS10 | STANDARD DIP SWITCH |
| 76RSB02LT | SWITCH DIP RECESS RCKR 2POS |
| A6SN-5101 | SWITCH DIP 5POS FLUSH ACT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB6021P | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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