- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB8444 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB8444 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 128nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8035pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 167W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8444DKR |
Typical Characteristics
1000
100
10
10us
100us
500
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1 ]
STARTING T J = 25 o C
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
1ms
10
STARTING T J = 150 o C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
10ms
0.1
1
LIMITED BY r DS(on) DC
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
1
0.01
0.1
1 10 100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
1000
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
C apability
140
120
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 5V
140
120
V GS = 10V
V GS = 5V
V GS = 4.5V
T J = -55 C
100
80
60
40
20
T J = 175 o C
T J = 25 o C
o
100
80
60
40
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4V
V GS = 3.5V
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
1 2 3
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
14
12
I D = 70A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
1.8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
1.6
8
6
T J = 175 o C
1.4
1.2
1.0
T J = 25 C
4
o
0.8
I D = 70A
V GS = 10V
2
4
5
6 7 8 9
10
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 9. Drain to Source On-Resistance
Variation vs Gate to Source Voltage
FDB8444 Re v A2 (W)
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8445 | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
| FDB8447L | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK |
| FDB8453LZ | MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB |
| FDB86102LZ | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK |
| FDB86135 | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8444_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 5.5m?? |
| FDB8444_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8444TS | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel w/Temp Sensor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8445 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8445_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 9m?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。