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参数资料
| 型号： | FDB8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2620pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8447LDKR |
February 2007
FDB8447L
40V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
40V, 50A, 8.5m ?
Features
Max r DS(on) = 8.5m ? at V GS = 10V, I D = 14A
Max r DS(on) = 11m ? at V GS = 4.5V, I D = 11A
Fast Switching
General Description
This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild
Semiconductor’s proprietary PowerTrench ? technology to
deliver low r DS(on) and optimized BV DSS capability to offer
superior performance benefit in the application.
RoHS Compliant
Application
Inverter
Power Supplies
D
D
G
G
S
TO-263AB
FDB Series
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
T C = 25°C
Ratings
40
±20
50
Units
V
V
I D
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1)
(Note 1a)
66
15
A
-Pulsed
100
E AS
Drain-Source Avalanche Energy
(Note 3)
153
mJ
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25°C
(Note 1a)
60
3.1
–55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
2.1
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDB8447L
Device
FDB8447L
Package
TO-263AB
Reel Size
330mm
Tape Width
24mm
Quantity
800 units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8447L Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8453LZ | 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB86135 | 功能描述:MOSFET PWM PFC COMBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8832 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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