参数资料
型号: FDB8860_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
标准包装: 800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.3 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 214nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12585pF @ 15V
功率 - 最大: 254W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 带卷 (TR)
December 2010
FDB8860
N-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
30V, 80A, 2.6m Ω
Features
R DS(ON) = 1.9m Ω (Typ), V GS = 5V, I D = 80A
Q g(5) = 89nC (Typ), V GS = 5V
Low Miller Charge
Low Q RR Body Diode
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
RoHS Compliant
FDB8860 R ev A2
Applications
DC-DC Converters
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8860 Rev.A2
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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