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参数资料
| 型号： | FDB8860_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 214nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12585pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 254W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS
1.10
I D = 1mA
1.2
I D = 250 μ A
1.05
1.0
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
0.2
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( oC )
200
0.90
-80
-40
0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
20000
C iss
10
V DD = 15V
10000
C oss
8
6
4
1000
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
2
I D = 80A
I D = 1A
500
0.1
1 10
30
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8860 Rev.A2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK |
| FDB8896 | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB |
| FDC2512_F095 | MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT |
| FDC2612_F095 | MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| FDC3512_F095 | MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8870 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8870_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDB8870_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 160A, 3.9m?? |
| FDB8870_F085 | 功能描述:MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8874 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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