参数资料
型号: FDB8447L
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2620pF @ 20V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDB8447LDKR
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.1
NOTES:
t 2
10
10
10
10
10
10
0.05
-4
SINGLE PULSE
-3
-2
-1
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
FDB8447L Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDB8453LZ 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB86102LZ 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB86135 功能描述:MOSFET PWM PFC COMBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8832 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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