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参数资料
| 型号： | FDB8447L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2620pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8447LDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
3.0
80
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = 3V
60
40
V GS = 4.5V
V GS = 4V
V GS = 3.5V
2.0
1.5
V GS = 3.5V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
20
1.0
0
0
V GS = 3V
1 2 3
4
0.5
0
V GS = 10V
20
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
60 80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
25
1.4
I D = 14A
V GS = 10V
20
I D = 7A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
15
1.0
T J = 125 o C
0.8
10
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
5
3
4 5 6 7 8 9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
80
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = 5V
10
60
1
T J = 25 o C
40
T J = 25 o C
0.1
T J = 125 o C
T J = -55 o C
20
T J = 125 o C
T J = -55 o C
0.01
0
1
2 3
4
0.001
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDB8447L Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDB8832 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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