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参数资料
| 型号： | FDB8453LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 17.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3545pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8453LZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 17.6A
V DD = 15V
4000
C iss
6
4
2
V DD = 20V
V DD = 25V
1000
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
C rss
0
0
10
20
30
40
50
100
0.1
1
10
40
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
1
V GS = 0V
10
10
10
0
T J = 150 o C
-1
10
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-2
-3
T J = 25 o C
10
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
-4
0
5
10
15
20
80
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
200
100
60
100us
40
V GS = 10V
10
THIS AREA IS
V GS = 4.5V
LIMITED BY r DS(on)
1ms
R θ JC = 1.88 C/W
20
Limited by Package
o
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JC = 1.88 o C/W
T C = 25 o C
10ms
DC
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.1
1
10
100
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 11. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8453LZ Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB86135 | 功能描述:MOSFET PWM PFC COMBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8832 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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