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参数资料
| 型号： | FDB8832 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 265nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8832DKR |
Typical Characteristics
1.2
350
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
300
250
200
150
100
50
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
V GS = 5V
V GS = 10V
0.0
0
25
50 75 100 125 150
175
0
25
50
75 100 125 150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
0.01
NOTES:
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4 -3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0
1
10000
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
1000
I = I 25
175 - T C
150
100
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
0
1
Figure 4. Peak Current Capability
FDB8832 Rev. A1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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