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参数资料
| 型号： | FDC5612_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
900
8
I D = 4.3A
V DS = 10V
30V
20V
800
700
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
600
6
500
4
400
300
2
0
200
100
0
C OSS
C RSS
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
8
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
10ms
6
1
V GS = 10V
DC
10s
1s
100ms
4
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
0.1
0.01
SINGLE PULSE
o
o
2
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 156 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.01
0.001
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC5612 Rev. C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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