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参数资料
| 型号： | FDC5614P_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| 标准包装： | 10,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 759pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
February 2002
FDC5614P
60V P-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high
voltage PowerTrench process. It has been optimized for
power management applications.
? –3 A, –60 V.
R DS(ON) = 0.105 ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 0.135 ? @ V GS = –4.5 V
Applications
? DC-DC converters
? Load switch
? Power management
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
D
S
1
6
2
5
SuperSOT -6
TM
D
D
G
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–3
A
– Pulsed
–20
P D
Maximum Power Dissipation
(Note 1a)
1.6
W
(Note 1b)
0.8
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.564
Device
FDC5614P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC5614P Rev C1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC5661N_F085 | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT |
| FDC602P_F095 | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT |
| FDC604P | MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 |
| FDC606P | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6 |
| FDC608PZ | MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC5661N | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC5661N_F085 | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 60V 4.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC5XPRCA02H132X | 功能描述:D-Sub标准连接器 50P Solder pin Str 1300pf RoHS:否 制造商:Omron Electronics 位置/触点数量:9 排数:2 型式:Female 安装风格:Through Hole 安装角:Right 端接类型:Solder 过滤: |
| FDC60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:60 WATTS OUTPUT POWER |
| FDC6000NZ | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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