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参数资料
| 型号： | FDC5614P_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| 标准包装： | 10,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 759pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
15
1.8
12
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
1.6
V GS = -3.5V
9
-3.5V
1.4
-4.0V
-4.5V
-5.0V
6
3
-3.0V
1.2
1
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
0
0
1
2
3
4
-2.5V
5
0.8
0
2
4
6
8
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
0.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.6
1.4
1.2
I D = -3.0A
V GS = -10V
0.3
o
I D = -1.5A
0.2
1
T A = 25 C
0.8
0.6
0.4
0.1
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
15
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
25 C
V DS = -5V
o
o
V GS = 0V
125 C
T A = 125 C
25 C
12
9
o
10
1
o
o
-55 C
o
6
3
0
0.1
0.01
0.001
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC5614P Rev C1 (W)
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