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参数资料
| 型号： | FDC5614P_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| 标准包装： | 10,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 759pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
8
6
I D = -3.0A
V DS = -10V
-30V
-20V
1200
1000
800
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
600
4
400
2
0
200
0
C RSS
C OSS
0
4
8
12
16
0
10
20
30
40
50
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
100 μ s
30
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
1
V GS = -10V
1s
10s
20
R θ JA = 156 C/W
0.1
SINGLE PULSE
o
DC
10
T A = 25 C
o
0.01
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
0.1
0.1
R θ JA = 156°C/W
0.01
0.05
0.02
0.01
P(pk)
t 1
t 2
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
FDC5614P Rev C1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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