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参数资料
| 型号： | FDC637AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1125pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC637ANDKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 4.5V
2.5V
2.5
16
3.0V
2.0V
2
12
1.5
V GS = 2.0V
8
4
0
1.5V
1
0.5
2.5V
3.0V
4.5V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.5
1.4
1.3
I D = 6.2A
V GS = 4.5V
0.08
0.06
I D = 6.2A
1.2
T J = 125 C
1.1
1
0.04
o
25 C
0.9
0.8
0.7
0.02
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
T J = -55 C
25 C
125 C
20
V DS = 5V
o
o
o
100
10
V GS = 0
15
T J = 125 C
1
o
25 C
10
0.1
o
-55 C
o
0.01
5
0.001
0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC637AN, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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