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参数资料
| 型号： | FDC638P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC638PDKR |
September 2001
FDC638P
P-Channel 2.5V PowerTrench ? Specified MOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
to minimize the on-state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance
These devices are well suited for battery power
applications: load switching and power management,
battery charging circuits, and DC/DC conversion.
Features
? –4.5 A, –20 V. R DS(ON) = 48 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 65 m ? @ V GS = –2.5 V
? Low gate charge (10 nC typical)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? SuperSOT ? –6 package: small footprint (72%
smaller than standard SO-8; low profile (1mm thick)
S
D
D
1
6
-6
SuperSOT
TM
pin 1
D
D
G
2
5
3
4
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–4.5
A
– Pulsed
–20
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
1.6
0.8
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ J C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.638
Device
FDC638P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC638P Rev F1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6392S | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 |
| FDC6401N | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC640P_F095 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT |
| FDC6420C | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| FDC642P | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC638P_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC638P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC638P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:20 V 48 mOhm P-Channel 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 |
| FDC6392S | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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