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参数资料
| 型号： | FDC6420C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6420CDKR |
September 2001
FDC6420C
20V N & P-Channel PowerTrench ? MOSFETs
General Description
Features
These N & P-Channel MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize
? Q1 3.0 A, 20V.
R DS(ON) = 70 m ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 95 m ? @ V GS = 2.5 V
on-state resistance and yet maintain superior
switching performance.
These devices have been designed to offer
exceptional power dissipation in a very small footprint
for applications where the bigger more expensive
SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.
Applications
? Q2 –2.2 A, 20V. R DS(ON) = 125 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 190 m ? @ V GS = –2.5 V
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
?
?
?
DC/DC converter
Load switch
LCD display inverter
? SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller than
SO-8); low profile (1mm thick).
D1
S1
D2
4
Q2(P)
3
G2
5
2
SuperSOT
Pin 1
TM
-6
G1
S2
6
1
T A =25 C unless otherwise noted
SuperSOT?-6
Absolute Maximum Ratings
o
Q1(N)
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Q1
20
± 12
Q2
–20
± 12
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
3.0
–2.2
A
– Pulsed
12
–6
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
0.96
0.9
0.7
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
130
60
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.420
Device
FDC6420C
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC6420C Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC642P | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 |
| FDC6506P | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| FDC653N | MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 |
| FDC654P | MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6420C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDC6420C_Q | 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC642P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC642P_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -20V, -4A, 100m?? |
| FDC642P_F085 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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