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参数资料
| 型号： | FDC6420C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6420CDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
Drain–Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = –250 μ A
I D = 250 μ A, Ref. to 25 ° C
I D = –250 μ A, Ref. to 25 ° C
V DS = 16 V, V GS = 0 V
V DS = –16 V, V GS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
–20
13
–11
1
–1
V
mV/ ° C
μ A
I GSSF
Gate–Body Leakage, Forward
V GS = 12 V,
V GS = 12 V,
V DS = 0 V
V DS = 0 V
Q1
Q2
100
100
nA
I GSSR
Gate–Body Leakage, Reverse
V GS = –12 V, V DS = 0 V
V GS = –12 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
–100
–100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
Q1
V DS = V GS , I D = 250 μ A
0.5
0.9
1.5
V
Q2
V DS = V GS , I D = –250 μ A
–0.6
–1.0
–1.5
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Q1
Q2
I D = 250 μ A, Ref. To 25 ° C
I D = –250 μ A, Ref. to 25 ° C
–3
–3
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain–Source
Q1
V GS = 4.5 V,
I D = 3.0 A
50
70
m ?
On–Resistance
Q2
V GS = 2.5 V, I D = 2.5 A
V GS = 4.5 V, I D = 3.0 A,T J =125 ° C
V GS = –4.5 V, I D = –2.2 A
V GS =– 2.5 V, I D = –1.8 A
V GS = – 4.5 V,I D =–2.2 A,T J =125 ° C
66
71
100
145
137
95
106
125
190
184
I D(on)
On–State Drain Current
Q1
V GS = 4.5 V,
V DS = 5 V
12
A
Q2
V GS = –4.5 V, V DS = –5 V
–6
g FS
Forward Transconductance
Q1
V DS = 5 V
I D = 2.5 A
10
S
Q2
V DS = –5 V
I D = –2.0A
6
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
324
pF
Q2
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
337
C oss
Output Capacitance
Q1
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
82
pF
Q2
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
88
C rss
Reverse Transfer Capacitance Q1
Q2
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
42
51
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn–On Delay Time
Q1
For Q1 :
5
10
ns
t r
Turn–On Rise Time
Q2
Q1
V DS =10 V,
V GS = 4.5 V,
I DS = 1 A
R GEN = 6 ?
9
7
18
14
ns
Q2
For Q2 :
12
22
t d(off)
t f
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Q1
Q2
Q1
V DS =–10 V, I DS = –1 A
V GS = –4.5 V, R GEN = 6 ?
13
10
1.6
23
20
3
ns
ns
Q2
5
10
Q g
Total Gate Charge
Q1
For Q1 :
3.3
4.6
nC
Q2
V DS =10 V,
I DS = 3.0 A
3.7
Q gs
Q gd
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
Q1
Q2
Q1
V GS = 4.5 V,
For Q2 :
V DS =–10 V,
V GS = –4.5 V,
I DS = –2.2 A
0.95
0.68
0.7
nC
nC
Q2
1.3
FDC6420C Rev C(W)
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