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参数资料
| 型号： | FDC6420C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6420CDKR |
Typical Characteristics: N-Channel
12
2
10
V GS = 4.5V
3.0V
2.5V
1.8
V GS = 2.0V
3.5V
8
1.6
6
2.0V
1.4
2.5V
4
2
1.2
1
3.0V
3.5V
4.5V
0
0
1
2
3
0.8
0
2
4
6
8
10
12
T A = 125 C
T A = 25 C
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 3.0A
V GS = 4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.22
I D = 1.5A
0.18
0.14
o
0.1
0.06
o
0.02
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
10
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
25 C
8
V DS = 5V
T A = -55 o C
125 o C
o
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
6
25 C
4
0.1
0.01
o
-55 o C
2
0
0.001
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC6420C Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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