- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC6420C (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC6420C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6420CDKR |
Typical Characteristics
5
450
I D = 3A
V DS = 5V
10V
f = 1 MHz
V GS = 0 V
4
3
2
1
0
15V
360
270
180
90
0
C RSS
C OSS
C ISS
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
4
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
3
1
V GS = 4.5V
DC
10s
1s
2
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 o C/W
T A = 25 o C
1
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDC6420C Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC642P | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 |
| FDC645N | MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6 |
| FDC6506P | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| FDC653N | MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 |
| FDC654P | MOSFET P-CH 30V 3.6A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6420C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDC6420C_Q | 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC642P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC642P_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -20V, -4A, 100m?? |
| FDC642P_F085 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。