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参数资料
| 型号： | FDC6420C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 324pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6420CDKR |
Typical Characteristics: P-Channel
6
2.75
V GS =- 4.5V
-3.0V
2.5
5
-3.5V
-2.5V
2.25
V GS = -2.0V
4
3
2
1.75
-2.0V
1.5
-2.5V
2
1
-1.8V
1.25
1
-3.0V
-3.5V
-4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.75
0
1
2
3
4
5
6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = -2.2A
V GS = -4.5V
0.4
0.35
I D = -1.1 A
1.4
0.3
1.2
0.25
T A = 125 C
1
0.2
o
T A = 25 C
0.15
0.8
0.1
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.05
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
5
4
V DS = -5V
o
125 o C
o
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 C
3
0.1
o
-55 C
2
1
0.01
0.001
o
0
0.5
1
1.5 2 2.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC6420C Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDC6506P | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6 |
| FDC653N | MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6420C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDC6420C_Q | 功能描述:MOSFET 20V/-20V N/P RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC642P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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