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参数资料
| 型号： | FDC638P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC638PDKR |
Typical Characteristics
5
4
I D = -4.5A
V DS = -5V
-15V
-10V
1500
1200
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
3
2
1
0
900
600
300
C OSS
C RSS
0
3
6
9
12
0
Q g , GATE CHARGE (nC)
0
5
10
15
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
1ms
40
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
1s
30
1
V GS = -4.5V
DC
10s
20
0.1
SINGLE PULSE
0.01
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
o
R θ JA = 156 C/W
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC638P Rev F (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
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| FDC638P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC638P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:20 V 48 mOhm P-Channel 2.5V PowerTrench Specified Mosfet SSOT-6 |
| FDC6392S | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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