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参数资料
| 型号： | FDC637BNZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 895pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC637BNZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
4.0
I D = 6.2A
2000
3.5
3.0
2.5
2.0
V DD = 5V
V DD = 10V
V DD = 15V
1000
C iss
C oss
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
100
50
0.1
f = 1MHz
V GS = 0V
1
C rss
10
20
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
5
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
4
3
V DS = 0V
10
100us
10
10
10
10
10
2
1
0
-1
-2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
-3
0
3
6
9
12
15
18
0.01
0.1
1
10
50
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
1000
V GS = 4.5V
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
100
10
1
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di ssipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC637BNZ Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC638APZ | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| FDC638P | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| FDC6392S | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 |
| FDC6401N | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC640P_F095 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC638 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC638APZ | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC638H | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| FDC638P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
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