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参数资料
| 型号： | FDC645N_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
1.4
4.5V
3.5V
15
10
3.0V
2.5V
1.2
V GS = 3.0V
3.5V
4.0V
5
0
2.0V
1
0.8
4.5V
5.0V
6.0V
10V
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 5.5A
0.07
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 3.75 A
1.4
1.2
V GS = 4.5V
0.06
0.05
T A = 125 o C
0.04
1
0.03
0.8
0.02
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
25 C
30
25
V DS = 5V
T A = -55 o C
125 o C
o
100
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
20
15
10
5
1
0.1
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC645N Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC730-52 | OSC 52 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32529C1394J289 | FILM CAP 0.3900UF 5% 100V |
| 9B-24.000MEEJ-B | CRYSTAL 24.000 MHZ 18PF |
| FXO-HC730-52.5 | OSC 52.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC730-53.2 | OSC 53.2 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6506 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDC6506P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6506P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6 |
| FDC6506P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC653 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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