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参数资料
| 型号： | FDD13AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD13AN06A0DKR |
November 2013
FDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 50 A, 1 3 m Ω
Features
? R DS(on) = 11.5 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 50 A
? Q G (tot) = 2 2 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliances
? LED TV
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
Formerly developmental type 82 555
D
D
G
S
D-PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter r
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 80 o C, V GS = 10V)
Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 52 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy ( Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDD13AN06A 0
60
± 20
50
9.9
Figure 4
56
115
0.77
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. D-PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. D-PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. D-PAK ,
1in 2
copper pad area
1 .3
1 00
52
o C/W
o
o
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD13AN06A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD13AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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