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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUTOMOTIVE SOLUTIONS
Power Semiconductors Maximize Efficiency and Reliability
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD18N20LZ | MOSFET N-CH 200V DPAK-3 |
| FDD2572_F085 | MOSFET N-CH 150V 29A DPAK |
| FDD2582 | MOSFET N-CH 150V 21A DPAK |
| FDD2670 | MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD16AN08LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD18N20LZ | 功能描述:MOSFET 200V NChannel UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD20AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD20AN06A0_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20mW |
| FDD20AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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