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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0_NF054 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2013
FDD16AN08A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
75 V, 50 A, 1 6 m Ω
Features
? R DS(on) = 13 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 50 A
? Q G (tot) = 31 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 660
D
D
G
S
D-PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Continuous (T amb = 25 C, V GS = 10V, with R θ JA = 52 C/W)
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter r
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 79 o C, V GS = 10V)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDD16AN08A 0
75
± 20
50
9
Figure 4
95
135
0.9
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Ambient, 1in copper pad area, Max.
C/W
C/W
R θJC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
2
1. 11
100
52
o C/W
o
o
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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