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参数资料
| 型号： | FDD2670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1228pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
November 2001
FDD2670
200V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
RDS (ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive
(even at very high frequencies), and DC/DC power
supply designs with higher overall efficiency.
Features
? 3.6 A, 200 V. R DS(ON) = 130 m ? @ V GS = 10 V
? Low gate charge
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
D
D
G
S
TO-252
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
200
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1)
3.6
A
Drain Current
– Pulsed
20
P D
dv/dt
Maximum Power Dissipation @ T C = 25 ° C
@ T A = 25 ° C
@ T A = 25 ° C
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 3)
70
3.2
1.3
3.2
W
V/ns
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1b)
1.8
96
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD2670
Device
FDD2670
Reel Size
13’’
Tape width
16mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD2670 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD26AN06A0_F085 | MSOFET N-CH 60V 36A DPAK-3 |
| FDD306P | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| FDD3510H | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
| FDD26AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: |
| FDD300004 | 功能描述:OSC 133MHZ 3.3V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
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