参数资料
型号: FDD3672_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/6页
文件大小: 0K
描述: MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3
标准包装: 2,500
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 44A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 47 毫欧 @ 21A,6V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1635pF @ 25V
功率 - 最大: 144W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252AA
包装: 带卷 (TR)
March 2011
FDD3672_F085
N-Channel UltraFET Trench MOSFET
100V, 44A, 28m Ω
Features
Typ r DS(on) = 24m Ω at V GS = 10V, I D = 44A
Typ Q g(10) = 24nC at V GS = 10V
Low Miller Charge
Low Q rr Body Diode
Optimized efficiency at high frequencies
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Applications
DC/DC converters and Off-Line UPS
Distributed Power Architectures and VRMs
Primary Switch for 24V and 48V Systems
High Voltage Synchronous Rectifier
FDD3672_F085 Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDD3672 MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
FDD3680 MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
FDD3682_F085 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
FDD3690 MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
FDD3860 MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
FDD3680 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD3682 功能描述:MOSFET N-Channel PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD3682 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDD3682 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD TO-252AA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, SMD, TO-252AA
FDD3682_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 100V, 32A, 36m??