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参数资料
| 型号： | FDD3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3672DKR |
March 2010
FDD3672
N-Channel UltraFET ? Trench MOSFET
100V, 44A, 28m ?
Features
? r DS(ON) = 24m ? (Typ.), V GS = 10V, I D = 44A
? Q g (tot) = 24nC (Typ.), V GS = 10V
? Low Miller Charge
? Low Qrr Body Diode
? Optimized efficiency at high frequencies
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82760
DRAIN
(FLANGE)
GATE
SOURCE
Applications
? DC/DC converters and Off-Line UPS
? Distributed Power Architectures and VRMs
? Primary Switch for 24V and 48V Systems
? High Voltage Synchronous Rectifier
D
G
TO-252AA
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
± 20
Units
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
44
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 52 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
31
6.5
Figure 4
120
135
0.9
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area
R θJC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case TO-252
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252
2
1.11
100
52
o
o
o
C/W
C/W
C/W
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3672 Rev. A 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD3672-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD3672 Series 100 V 28 mOhm N-Channel UltraFET Trench Mosfet TO-252AB |
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