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参数资料
| 型号： | FDD3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3672DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
I D = 250 μ A
3000
1.1
1000
C OSS ? C DS + C GD
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
100
1.0
V GS = 0V, f = 1MHz
0.9
10
-80
-40
0 40 80 120 160
200
0.1
1 10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 50V
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
200
100
8
100 us
6
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
4
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1 ms
JC = 1.11
C/W
2
0
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 44A
I D = 21A
0.1
1
R
T C = 25 o C
o
10
10 ms
DC
100
300
0
5
10 15
Q g , GATE CHARGE (nC)
20
25
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Gate Charge Waveforms for
Constant Gate Currents
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
Figure 14. Forward Bias Safe
Operating Area
FDD3672 Rev. A 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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