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参数资料
| 型号： | FDD3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3672DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
300
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
60
10
STARTING T J = 25 o C
40
T J = 25 o C
T J = 175 o C
1
STARTING T J =
150 o C
20
0
T J = -55 o C
0.001
0.01 0.1 1
10
3.5
4.0
4.5 5.0 5.5 6.0
6.5
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 5. Unclamped Inductive Switching
Capability
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Transfer Characteristics
80
T C = 25 o C
V GS = 10V
V GS = 7V
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
35
60
V GS = 6V
V GS = 6V
30
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
25
V GS = 10V
20
20
V GS = 5V
0
15
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0
10
20 30
40
50
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Saturation Characteristics
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10V, I D = 44A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 8. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.0
0.8
0.6
0.4
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 9. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 10. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
FDD3672 Rev. A 2
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PDF描述 |
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