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参数资料
| 型号： | FDD3860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3860DKR |
October 2008
FDD3860
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
100V, 29A, 36m ?
Features
Max r DS(on) = 36m ? at V GS = 10V, I D = 5.9A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
100% UIL tested
RoHS Compliant
tm
General Description
This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process. This part is
tailored for low r DS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche
ruggedness for a wide range of switching applications.
Applications
DC-AC Conversion
Synchronous Rectifier
D
D
G
D TO -2 52
S
-PA K
G
(TO -252)
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Silicon limited)
T C = 25°C
Ratings
100
±20
29
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1a)
6.2
A
-Pulsed
60
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
121
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
69
3.1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.8
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD3860
Device
FDD3860
Package
D-PAK (TO-252)
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3860 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD390N15ALZ | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
| FDD390N15A | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK |
| FDD3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| FDD3N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDD4141 | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
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