- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDD3860 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD3860 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 5.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3860DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
FOR TEMPERATURES
C
= ------------------------
t
125 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
NOTES:
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
P DM
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
25
t 2
T C = 25 o C
R θ JC = 1.8 C/W
SINGLE PULSE
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
0.001
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
R θ JA = 40 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
( Note 1a )
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
t 1
SINGLE PULSE
t 2
R θ JA = 96 C/W
0.001
o
( Note 1b )
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.0001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3860 Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD390N15ALZ | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
| FDD390N15A | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK |
| FDD3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| FDD3N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDD4141 | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。