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参数资料
| 型号： | FDD3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1710pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3672DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
50
V GS = 10V
1.0
40
0.8
30
0.6
20
0.4
0.2
0
10
0
0
25
50 75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
25
50
75 100 125 150
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
175
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
500
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
30
V GS = 10V
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t , PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3672 Rev. A 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3680 | MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK |
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| FDD3690 | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK |
| FDD3860 | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| FDD390N15ALZ | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDD3672-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD3672 Series 100 V 28 mOhm N-Channel UltraFET Trench Mosfet TO-252AB |
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