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参数资料
| 型号： | FDD306P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD306PDKR |
February 2014
FDD306P
P-Channel 1.8V Speci?ed PowerTrench ? MOSFET
Features
Applications
■ –6.7 A, –12 V.
R DS(ON) = 28 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 41 m ? @ V GS = –2.5 V
R DS(ON) = 90 m ? @ V GS = –1.8 V
■ DC/DC converter
General Description
■ Fast switching speed
■ High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
■ High power and current handling capability
This P-Channel 1.8V Speci?ed MOSFET uses Fairchild’s
advanced low voltage PowerTrench process. It has been opti-
mized for battery power management.
S
G
D
G
S
TO-252
D
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
–12
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 3)
–6.7
A
– Pulsed
(Note 1a)
–54
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1)
52
W
(Note 1a)
(Note 1b)
3.8
1.6
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
2.9
40
96
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD306P
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
Device
FDD306P
Reel Size
13’’
1
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
www.fairchildsemi.com
FDD306P Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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