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参数资料
| 型号： | FDD306P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD306PDKR |
Typical Characteristics
5
2400
4
I D = -6.7A
V DS = -4V
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
3
2
-6V
-8V
1600
1200
800
C oss
C iss
1
0
400
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
3
6
9
12
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 ° C/W
100
R DS(ON) LIMIT
1ms
15
T A = 25 ° C
10ms
10
1
DC
10s
1s
100ms
10
0.1
0.01
V GS =-4.5V
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
5
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.1
0.05
0.02
R θ JA = 96 ° C/W
P(pk)
0.01
0.01
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD306P Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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