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参数资料
| 型号： | FDD306P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1290pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD306PDKR |
Typical Characteristics
54
2.5
V GS = -4.5V
-3.5V
-3.0V
V GS = -1.8V
45
36
-4.0V
-2.5V
2
-2.0V
-2.5V
27
-2.0V
1.5
-3.0V
-3.5V
18
-1.8V
1
-4.5V
9
0
0.5
0
1
2
3
4
0
9
18
27
36
45
54
1.4
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
0.1
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.3
I D = -6.7A
V GS = -4.5V
0.08
I D = -3.4A
1.2
0.06
1.1
1
0.04
T A = 25 ° C
T A = 125 ° C
0.9
0.8
0.02
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
54
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
45
V DS = - 5V
T A = -55 ° C
125 ° C
10
V GS = 0V
25 ° C
36
27
18
9
0
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T A = 125 ° C
25 ° C
-55°C
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
FDD306P Rev. C1
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
3
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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