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参数资料
| 型号： | FDD2670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1228pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
15
2000
12
I D = 3.6 A
V DS = 40V
70
V
f = 1MHz
V GS = 0 V
100 V
1500
C ISS
9
1000
6
500
3
C OSS
0
0
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
10ms
100 μ s
80
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
1
0.1
0.01
0.001
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
DC
10s
100ms
1s
60
40
20
0
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 96°C/W
0.1
0.1
P(pk)
0.05
t 1
t 2
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD2670 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD26AN06A0_F085 | MSOFET N-CH 60V 36A DPAK-3 |
| FDD306P | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK |
| FDD3510H | IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 |
| FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
| FDD3672_F085 | MSOFET N-CH 100V 44A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD26AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 36A 26 OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD26AN06A0_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 36A, 26m?? |
| FDD26AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3 | 制造商:Cooper Crouse-Hinds 功能描述: |
| FDD300004 | 功能描述:OSC 133MHZ 3.3V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
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