- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19199 > FDD2572 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD2572 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 54 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD2572DKR |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 75V
1000
C ISS = C GS + C GD
8
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
100
4
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 9A
I D = 4A
10
0
0.1
1 10
150
0
5
10 15 20
25
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDD2572 / FDU2572 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRD10STR04 | SWITCH ROTARY DIP HEX SMD |
| DRW16C04 | SWITCH DIP WHEEL 16POS STRGHT T/ |
| 2-1825059-3 | SWITCH DIP FLUSH 5POS SMD |
| 3-1825059-7 | SWITCH DIP FLUSH ACT 8POS SMD |
| 8-435626-6 | SWITCH DIP SPST 2POS SEALED GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD2572_F085 | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2572_F085_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 29A, 54m?? |
| FDD2582 | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD2582_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。