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参数资料
| 型号： | FDD3706 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 16.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1882pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD3706FSDKR |
April 2002
FDD3706/FDU3706
20V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R DS( ON) , fast switching speed and
? 50 A, 20 V
R DS(ON) = 9 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 11 m ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON) = 16 m ? @ V GS = 2.5 V
extremely low R DS(ON) in a small package.
Applications
? DC/DC converter
? Motor Drives
? Low gate charge (16 nC)
? Fast Switching
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
G
I-PAK
G
D-PAK
TO-252
(TO-252)
G D S
(TO-251AA)
S
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
± 12
Units
V
V
I D
Continuous Drain Current @T C =25°C
@T A =25°C
Pulsed
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1a)
50
14.7
60
A
P D
Power Dissipation
@T C =25°C
(Note 3)
44
W
@T A =25°C
@T A =25°C
(Note 1a)
(Note 1b)
3.8
1.6
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
3.4
45
96
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD3706
FDU3706
Device
FDD3706
FDU3706
Package
D-PAK (TO-252)
I-PAK (TO-251)
Reel Size
13’’
Tube
Tape width
12mm
N/A
Quantity
2500 units
75
? 2002 Fairchild Semiconductor Corp.
FDD3706/FDU3706 Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK1630005 | OSC 16.384MHZ 3.3V SMD |
| 3306F-1-105 | TRIMMER 1M OHM 0.2W TH |
| FD2500053 | OSC 25MHZ 3.3V SMD |
| MS23BFG01 | SWITCH SLIDE DPDT GOLD SLD LUG |
| MC22FF331J-F | CAP MICA 330PF 1KV 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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