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参数资料
| 型号： | FDD3706 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 16.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1882pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD3706FSDKR |
Typical Characteristics
100
V GS =4.5V
3.0V
1.8
80
3.5V
1.6
60
2.5V
1.4
V GS = 2.5V
40
1.2
3.0V
20
2.0V
1
3.5V
4.0V
4.5V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
1.6
I D = 14.7A
0.03
1.4
1.2
V GS = 4.5V
0.025
0.02
T A = 125 o C
I D = 7.4A
1
0.8
0.6
0.015
0.01
0.005
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
60
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
V DS = 5V
T A =-55 o C
25 o C
V GS = 0V
25 C
50
40
125 o C
10
1
T A = 125 o C
o
-55 C
30
20
10
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD3706/FDU3706 Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK1630005 | OSC 16.384MHZ 3.3V SMD |
| 3306F-1-105 | TRIMMER 1M OHM 0.2W TH |
| FD2500053 | OSC 25MHZ 3.3V SMD |
| MS23BFG01 | SWITCH SLIDE DPDT GOLD SLD LUG |
| MC22FF331J-F | CAP MICA 330PF 1KV 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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