- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18038 > FDD3706 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD3706 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 16.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1882pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD3706FSDKR |
Typical Characteristics
10
2500
8
I D = 14.7A
V DS = 5V
10V
2000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
15V
6
4
2
0
1500
1000
500
0
C RSS
C OSS
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
1ms
100μs
80
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
R θ JA = 96 C/W
10
1
0.1
0.01
V GS = 4.5V
SINGLE PULSE
o
T A = 25 o C
DC
10ms
100ms
1s
10s
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.01
0.001
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD3706/FDU3706 Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK1630005 | OSC 16.384MHZ 3.3V SMD |
| 3306F-1-105 | TRIMMER 1M OHM 0.2W TH |
| FD2500053 | OSC 25MHZ 3.3V SMD |
| MS23BFG01 | SWITCH SLIDE DPDT GOLD SLD LUG |
| MC22FF331J-F | CAP MICA 330PF 1KV 5% 2220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD390N15ALZ | 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。