- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21854 > FDD3N40TM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 400V 2A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD3N40TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3N40TMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
10
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
1
150 C
Bottom : 5.5 V
o
10
25 C
-55 C
2. T C = 25 C
-1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
0
4
5
6
7
8
9
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
15
14
13
12
11
10
9
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
8
7
V GS = 10V
10
25 C
6
5
4
3
V GS = 20V
0
150 o C
o
* Notes :
* Note : T J = 25 C
2
1
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
1
2
3
4
5
6
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
350
300
250
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 80V
V DS = 200V
V DS = 320V
200
6
150
100
* Note :
4
50
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 3A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3N40 / FDU3N40 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OPB859 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| OPB842W55Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| MX3SWT-A1-0000-000D50 | LED XLAMP 6000K COOL WHITE SMD |
| 344P2 | CABLE R/A MALE 4POS SGL-END 2M |
| OPB801W55Z | SENS OPTO SLOT 9.53MM TRANS C-MT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3N50NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 2.5A, 2.5??? |
| FDD3N50NZTM | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4141 | 功能描述:MOSFET -40V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4141_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -40V, -50A, 12.3m?? |
| FDD4141_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 40V 10.8A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。