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参数资料
| 型号： | FDD4141_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2775pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
4.0
3.5
V GS = -3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -4.5V
3.0
60
40
20
V GS = -10V
V GS = -4V
V GS = -3.5V
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = -3.5V
V GS = -4V
V GS = -4.5V
0
0
1
2
3
V GS = -3V
4
5
0.5
0
20
40 60
V GS = -10V
80
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
- I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
55
1.6
I D = -12.7A
V GS = -10V
45
I D = -12.7A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
35
1.2
25
1.0
0.8
15
T J = 125 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
5
2
4
6
T J = 25 o C
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
80
V DS = -5V
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0V
10
60
40
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1E-3
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD4141 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B3FS-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| MRF6V12250HR5 | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 |
| DME1P56K-F | CAP FILM 0.56UF 100VDC RADIAL |
| FCD7N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
| 160474K250H | CAP FILM 0.47UF 250VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD4243 | 功能描述:MOSFET 40V P-Channel PowerTrench? MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4243_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:40V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD4243_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -40V, -14A, 64m?? |
| FDD4243_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 40V 6.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD4505C | 制造商:ELMEC 功能描述: 制造商:ELMEC 功能描述:Electronic Component |
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