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参数资料
| 型号： | FDD6670A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1755pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6670ADKR |
Typical Characteristics
10
2400
f = 1MHz
I D = 66A
V GS = 0 V
8
V DS = 10V
2000
6
15V
20V
1600
1200
C iss
4
800
C oss
2
0
400
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
100
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
1ms
100μs
80
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
10ms
R θ JA = 96 C/W
T A = 25 C
10
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
o
10s
DC
100ms
1s
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 96 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.02
0.0
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6670A Rev. E1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6760A | MOSFET N-CH 25V 27A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6670A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 76A TO252 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 76A, TO252 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 76A, TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| FDD6670A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 66A, TO-252 |
| FDD6670A_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6670A_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6670A_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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