- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD6680AS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6680AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6680ASFSDKR |
Typical Characteristics
100
2
80
V GS = 10V
4.0V
1.8
V GS = 3.0V
6.0V
4.5V
3.5V
1.6
60
1.4
3.5V
40
3.0V
1.2
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
20
0
2.5V
1
0.8
10V
0
0.5
1 1.5 2
2.5
3
0
20
40 60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 12.5A
V GS =10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.032
I D = 6.3A
1.4
0.026
1.2
0.02
T A = 125 C
T A =25 C
1
0.8
0.014
o
o
0.6
0.008
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
100
V DS = 5V
80
60
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
1
T A = 125 o C
25 C
40
T A = 125 o C
-55 o C
0.1
o
-55 o C
20
25 o C
0
0.01
1
1.5
2 2.5 3 3.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDD6680AS Rev A 1 (X)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6760A | MOSFET N-CH 25V 27A DPAK |
| FDD6770A | MOSFET N-CH 25V 24A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6680AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
| FDD6680AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDD6680S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6680S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| FDD6680S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistors MOSFET RoHS Compliant:Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。