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参数资料
| 型号： | FDD6682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.2 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
100
2
80
V GS =10V
6.0V
4.0V
1.8
V GS = 3.5V
60
4.5V
3.5V
1.6
4.0V
1.4
4.5V
40
1.2
5.0V
20
0
3.0V
1
0.8
10V
0
1
2
3
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.02
1.8
1.6
1.4
I D = 17A
V GS = 10V
0.015
T A = 125 o C
I D = 8.5A
0.01
1.2
1
0.8
0.6
0.005
0
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
80
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
V DS = 5V
10
60
40
1
0.1
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.01
20
T A =125 o C
25 o C
-55 o C
0.001
0
0.0001
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD6682/FDU6682 Rev H(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6760A | MOSFET N-CH 25V 27A DPAK |
| FDD6770A | MOSFET N-CH 25V 24A DPAK |
| FDD6778A | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6682_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6685 | 功能描述:MOSFET 30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6685 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD6685_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDD6688 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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