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参数资料
| 型号： | FDD6682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.2 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
3500
I D = 17A
V DS = 10V
15V
3000
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
20V
2500
2000
4
2
0
1500
1000
500
0
C OSS
C RSS
0
10
20 30
40
50
0
5
10 15 20
25
30
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
100μs
1ms
80
R θ JA = 96°C/W
T A = 25°C
10ms
10
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10s
DC
100ms
1s
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
SINGLE PULSE
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6682/FDU6682 Rev H(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6760A | MOSFET N-CH 25V 27A DPAK |
| FDD6770A | MOSFET N-CH 25V 24A DPAK |
| FDD6778A | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6682_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6685 | 功能描述:MOSFET 30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6685 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD6685_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V P-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDD6688 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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