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参数资料
| 型号： | FDD6760A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 27A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3170pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6760ADKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
200
4
150
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
3
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 6 V
V GS = 4 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
V GS = 4 V
2
V GS = 4.5 V
50
0
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
0
V GS = 6 V
V GS = 10 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50 100
150
200
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
I D = 27 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
14
PULSE DURATION = 80 μ s
1.6
1.4
V GS = 10 V
12
10
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 27 A
8
1.2
1.0
6
4
T J = 150 o C
0.8
2
T J = 25 o C
0.6
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
200
200
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
150
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 3.5 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 175 o C
50
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
T J = 175 o C
T J = -55 o C
0.1
0
1
2
3
4
5
6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6760A Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6770A | MOSFET N-CH 25V 24A DPAK |
| FDD6778A | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| FDD6796A | MOSFET N-CH 25V 20A DPAK |
| FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6770A | 功能描述:MOSFET 25V 50A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6776A | 功能描述:MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6778A | 功能描述:MOSFET 25V 10A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6780A | 功能描述:MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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