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参数资料
| 型号： | FDD6N50FTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.15 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6N50FTFDKR |
Mechanical Dimensions
Figure 15. TO252 (D-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA&AB
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?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50F Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N50TM | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| FDD7N20TM | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK |
| FDD7N60NZTM | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
| FDD8424H_F085 | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 |
| FDD8424H | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N50FTM | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50TF_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TM | 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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